די זוכן פֿאַר טאָמיד-ינקריסינג עפעקטיווקייַט אין קאַנווערזשאַן פון זונ - ענערגיע האט געפֿירט צו עקספּלעריישאַנז ווייַטער פון טראדיציאנעלן סיליציום-באזירט פּן קנופּ זונ - סעלז. איין פּראַמאַסינג אַוועניו ליגט אין Schottky דייאָוד זונ - סעלז, וואָס אָפפערס אַ יינציק צוגאַנג צו ליכט אַבזאָרפּשאַן און עלעקטרע דור.
פֿאַרשטיין די יסודות
טראַדיציאָנעל זונ - סעלז פאַרלאָזנ זיך די פּן קנופּ, ווו אַ דורכויס טשאַרדזשינג (פּ-טיפּ) און נעגאַטיוו טשאַרדזשינג (n-טיפּ) סעמיקאַנדאַקטער טרעפן. אין קאַנטראַסט, סטשאָטטקי דייאָוד זונ סעלז נוצן אַ מעטאַל-סעמיקאַנדאַקטער קנופּ. דאָס קריייץ אַ שאָטטקי שלאַבאַן, געשאפן דורך די פאַרשידענע ענערגיע לעוועלס צווישן די מעטאַל און די סעמיקאַנדאַקטער. ליכט סטרייקינג די צעל יקסייץ עלעקטראָנס, אַלאַוינג זיי צו שפּרינגען דעם שלאַבאַן און ביישטייערן צו אַן עלעקטריש קראַנט.
אַדוואַנטאַגעס פון Schottky Diode Solar Cells
סטשאָטטקי דייאָוד זונ - סעלז פאָרשלאָגן עטלעכע פּאָטענציעל אַדוואַנטידזשיז איבער טראדיציאנעלן פּן קנופּ סעלז:
פּרייַז-עפעקטיוו מאַנופאַקטורינג: סטשאָטטקי סעלז זענען בכלל סימפּלער צו פּראָדוצירן קאַמפּערד מיט פּן קנופּ סעלז, פּאַטענטשאַלי לידינג צו נידעריקער פּראָדוקציע קאָס.
ימפּרוווד ליכט טראַפּינג: די מעטאַל קאָנטאַקט אין Schottky סעלז קענען פֿאַרבעסערן ליכט טראַפּינג אין דער צעל, אַלאַוינג פֿאַר מער עפעקטיוו ליכט אַבזאָרפּשאַן.
Faster Charge Transport: די Schottky שלאַבאַן קענען פאַסילאַטייט פאַסטער באַוועגונג פון פאָטאָ-דזשענערייטאַד עלעקטראָנס, פּאַטענטשאַלי ינקריסינג קאַנווערזשאַן עפעקטיווקייַט.
מאַטעריאַל עקספּלאָריישאַן פֿאַר Schottky זונ סעלז
רעסעאַרטשערס זענען אַקטיוולי ויספאָרשן פאַרשידן מאַטעריאַלס פֿאַר נוצן אין Schottky זונ - סעלז:
קאַדמיום סעלענידע (CdSe): כאָטש די קראַנט CdSe Schottky סעלז האָבן אַ באַשיידן יפעקטיוונאַס פון אַרום 0.72%, אַדוואַנטידזשיז אין פאַבריקיישאַן טעקניקס ווי עלעקטראָן-שטראַל ליטהאָגראַפי פאָרשלאָגן צוזאָג פֿאַר צוקונפֿט ימפּרווומאַנץ.
ניקאַל אַקסייד (ניאָ): ניאָ סערוועס ווי אַ פּראַמאַסינג פּ-טיפּ מאַטעריאַל אין סטשאָטטקי סעלז, דערגרייכן יפעקטיוונאַס פון אַרויף צו 5.2%. זייַן ברייט באַנדגאַפּ פּראָפּערטיעס פאַרבעסערן ליכט אַבזאָרפּשאַן און קוילעלדיק צעל פאָרשטעלונג.
Gallium Arsenide (GaAs): GaAs Schottky סעלז האָבן דעמאַנסטרייטיד יפעקטיוונאַס פון מער ווי 22%. אָבער, צו דערגרייכן דעם פאָרשטעלונג ריקווייערז אַ קערפאַלי ענדזשאַנירד מעטאַל-ינסאַלאַטאָר-סעמיקאַנדאַקטער (MIS) סטרוקטור מיט אַ גענוי קאַנטראָולד אַקסייד שיכטע.
טשאַלאַנדזשיז און צוקונפֿט אינסטרוקציעס
טראָץ זייער פּאָטענציעל, סטשאָטטקי דייאָוד זונ סעלז האָבן עטלעכע טשאַלאַנדזשיז:
רעקאָמבינאַטיאָן: רעקאָמבינאַטיאָן פון עלעקטראָן-לאָך פּערז ין דער צעל קענען באַגרענעצן עפעקטיווקייַט. ווייַטער פאָרשונג איז דארף צו מינאַמייז אַזאַ לאָססעס.
שלאַבאַן הייך אָפּטימיזאַטיאָן: די Schottky שלאַבאַן הייך באטייטיק ימפּאַקץ עפעקטיווקייַט. געפֿינען די אָפּטימאַל וואָג צווישן אַ הויך שלאַבאַן פֿאַר עפעקטיוו אָפּצאָל צעשיידונג און אַ נידעריק שלאַבאַן פֿאַר מינימאַל ענערגיע אָנווער איז קריטיש.
מסקנא
סטשאָטטקי דייאָוד זונ סעלז האָבן אַ ריזיק פּאָטענציעל פֿאַר רעוואַלושאַנייזינג זונ - ענערגיע קאַנווערזשאַן. זייער סימפּלער פאַבריקיישאַן מעטהאָדס, ימפּרוווד ליכט אַבזאָרפּשאַן קייפּאַבילאַטיז און פאַסטער אָפּצאָל אַריבערפירן מעקאַניזאַמז מאַכן זיי אַ פּראַמאַסינג טעכנאָלאָגיע. ווען פאָרשונג דעלוווז דיפּער אין מאַטעריאַל אַפּטאַמאַזיישאַן און רעקאָמבינאַטיאָן מיטיגיישאַן סטראַטעגיעס, מיר קענען דערוואַרטן צו זען Schottky דייאָוד זונ - סעלז אַרויסקומען ווי אַ באַטייטיק שפּילער אין דער צוקונפֿט פון ריין ענערגיע דור.
פּאָסטן צייט: יוני 13-2024